[日本インタビュ新聞社] - キヤノン＜７７５１＞（東証プライム）は、半導体デバイスの製造で最も重要な回路パターンの転写を担うナノインプリント半導体製造装置“ＦＰＡ－１２００ＮＺ２Ｃ”を２０２３年１０月１３日に発売すると発表した。この装置は、光学系を介さずにマスク（型）をレジスト（樹脂）に押し付けてパターンを形成するナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）技術を使用しており、最先端から従来の半導体デバイスまでの幅広い用途に対応できる。
■ＮＩＬ技術の特徴とメリット
ＮＩＬ技術は、マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現できるため、複雑な２次元、３次元の回路パターンを１回のインプリントで形成することが可能だ。その結果、半導体製造に必要な総コスト（ＣｏＯ）の削減に貢献する。キヤノンのＮＩＬ技術は、最小線幅１４ｎｍのパターン形成ができるほか、マスクを改良することで最小線幅１０ｎｍレベルへの対応も期待されている。
■新製品の特長と展望
新製品は、装置内の微粒子の発生や混入を抑制する新開発の環境制御技術を採用している。これにより、高精度の位置合わせや欠陥の低減を実現し、微細かつ複雑な回路形成が可能となり、最先端の半導体デバイス製造に貢献する。また、投影露光装置と比べて消費電力が大幅に削減できるため、ＣＯ２の低減にも貢献する。さらに、３次元のパターンを１回で形成できることから、ロジックやメモリーなどの半導体デバイス以外として、数十ｎｍの微細構造であるＸＲ向けのメタレンズなどの製造など、幅広い用途に活用できる。（情報提供：日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部）