[ソウル 19日 ロイター] - 韓国サムスン電子は19日、国内で新しい半導体研究開発(R&D)施設を着工したと発表した。2028年までに約20兆ウォン(150億ドル)を投じ、半導体技術の向上を目指す。
新施設はソウル南方の器興に建設され、半導体メモリとシステム半導体用の次世代デバイスとプロセスに関する先端研究のほか、長期ロードマップに基づく新しい技術の開発をリードするという。「サムスン電子は半導体微細化の限界の克服を目指している」とした。
起工式には、このほど赦免された李在鎔副会長を含む経営陣が出席した。