[上海 12日 ロイター] - 韓国のサムスン電子 (KS:005930)は中国・西安にある同社の半導体工場に80億ドルの追加設備投資を行い、NAND型フラッシュメモリーを増産する。中国メディアが10日伝えた。
サムスン電子はコメントを避けた。
NAND型フラッシュメモリーをめぐっては、供給が限定的である一方、次世代通信規格「5G」対応のデバイスやネットワーク向けの需要が高まっているため、来年には市場が回復すると見込まれている。
世界最大手のサムスン電子は2017年、西安の半導体工場に3年間で70億ドルを投じる方針を発表していた。